- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS7C4098A-15TINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 | Alliance Memory, Inc. | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4Mb (256K x 16) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 44-TSOP2 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 15ns | Parallel | 15ns | ||
S25FL064LABMFM013 | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 108MHz | Non-Volatile | 64Mb (8M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI | Automotive, AEC-Q100, FL-L | ||
71V424L12PH | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | IDT, Integrated Device Technology Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4Mb (512K x 8) | 3V ~ 3.6V | SRAM - Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 44-TSOP II | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 12ns | Parallel | 12ns | ||
IS25LX064-JHLA3 | IC FLSH 64MBIT SPI OCTAL 24TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | FLASH | 133MHz | Non-Volatile | 64Mb (8M x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH | -40°C ~ 125°C (TA) | 24-TFBGA (6x8) | 24-TBGA | SPI - Octal I/O | |||
IS43TR82560B-125KBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 800MHz | Volatile | 2Gb (256M x 8) | 1.425V ~ 1.575V | SDRAM - DDR3 | -40°C ~ 95°C (TC) | 78-TWBGA (8x10.5) | 78-TFBGA | 20ns | Parallel | 15ns | |
IS42SM16400K-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 64Mb (4M x 16) | 3V ~ 3.6V | SDRAM - Mobile | -40°C ~ 85°C (TA) | 54-TFBGA (8x8) | 54-TFBGA | 5.5ns | Parallel | ||
IS42S32800D-6BLI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | 166MHz | Volatile | 256Mb (8M x 32) | 3V ~ 3.6V | SDRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 90-TFBGA (8x13) | 90-TFBGA | 5.4ns | Parallel | ||
MX30UF1G28AD-XKI | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | Macronix | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 1Gb (128M x 8) | 1.7V ~ 1.95V | FLASH - NAND (SLC) | -40°C ~ 85°C (TA) | 63-VFBGA (9x11) | 63-VFBGA | 22ns | ONFI | 25ns | ||
25AA1024T-I/SM | IC EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIJ | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 20MHz | Non-Volatile | 1Mb (128K x 8) | 1.8V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-SOIJ | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | SPI | 6ms | ||
AT24C16D-PUM | IC EEPROM 16KBIT I2C 1MHZ 8DIP | Microchip Technology | Through Hole | EEPROM | 1MHz | Non-Volatile | 16Kb (2K x 8) | 1.7V ~ 3.6V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TC) | 8-PDIP | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | 450ns | I²C | 5ms | |
AT27LV512A-70JI | IC EPROM 512KBIT PARALLEL 32PLCC | Microchip Technology | Surface Mount | EPROM | Non-Volatile | 512Kb (64K x 8) | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | EPROM - OTP | -40°C ~ 85°C (TC) | 32-PLCC (13.97x11.43) | 32-LCC (J-Lead) | 70ns | Parallel | |||
MT29F128G08EBEBBWP:B TR | IC FLASH 128G PARALLEL 48TSOP | Micron Technology Inc. | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 128Gb (16G x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NAND | 0°C ~ 70°C (TA) | 48-TSOP I | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | Parallel | ||||
CAT24C64YI-GT3 | IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP | onsemi | Surface Mount | EEPROM | 1MHz | Non-Volatile | 64Kb (8K x 8) | 1.7V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-TSSOP | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 400ns | I²C | 5ms | |
70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 4.5Mb (128K x 36) | 2.4V ~ 2.6V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 208-PQFP (28x28) | 208-BFQFP | 12ns | Parallel | 12ns | ||
CY14B104L-BA25XC | IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA | Rochester Electronics, LLC | Surface Mount | NVSRAM | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 2.7V ~ 3.6V | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | 0°C ~ 70°C (TA) | 48-FBGA (6x10) | 48-TFBGA | 25ns | Parallel | 25ns |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.