Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти *объем* 1.152Gb (16M x 72)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: MoSys, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 676-BGA
- Тип корпуса: 676-BGA (27x27)
- Напряжение питания: 1V
- Объем памяти: 1.152Gb (16M x 72)
- Технология: 1T-SRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.25GHz
- Время доступа: 2.7ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MoSys, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 676-BGA
- Тип корпуса: 676-BGA (27x27)
- Напряжение питания: 1V
- Объем памяти: 1.152Gb (16M x 72)
- Технология: 1T-SRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 1.25GHz
- Время доступа: 2.7ns
- Формат памяти: SRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100