Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти *объем* 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 90ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 90ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-N
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 110ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 110ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 95ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP I
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: FLASH
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-N
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 110ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 110ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-TBGA (10x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-N
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (13x11)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 100ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 90ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 90ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 120ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 120ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (11x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (11x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 70ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 70ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 95ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: GL-N
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 110ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 110ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Серия: StrataFlash™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 64-TBGA
- Тип корпуса: 64-EasyBGA (10x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (16M x 8, 8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 75ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 75ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100