Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти *объем* 128Mb (8M x 16)
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TFBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (9x9)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Spansion
- Серия: Automotive, AEC-Q100, GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
- Package / Case: 64-LBGA
- Тип корпуса: 64-FBGA (9x9)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 143MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Wafer
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
- Тип корпуса: 56-TSOP
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 90ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cypress Semiconductor Corp
- Серия: GL-S
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 56-VFBGA
- Тип корпуса: 56-FBGA (9x7)
- Напряжение питания: 1.65V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: FLASH - NOR
- Тип памяти: Non-Volatile
- Время доступа: 100ns
- Формат памяти: FLASH
- Время цикла записи - слово, страница: 60ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 60-VFBGA
- Тип корпуса: 60-VFBGA (8x10)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 104MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 125MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 66-TSOP II
- Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 200MHz
- Время доступа: 50ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100