• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: PL-J
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 56-TSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 60ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 60ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: PL-J
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 80-VFBGA
• Тип корпуса: 80-FBGA (8x11)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-VFBGA
• Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 125MHz
• Время доступа: 7ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Etron Technology, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP II
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 250MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: PL-J
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 56-TSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 60ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 60ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: PL-J
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 56-TSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 70ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 70ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-VFBGA
• Тип корпуса: 54-MiniBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TFBGA
• Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 56-VFBGA
• Тип корпуса: 56-VFBGA (7.7x9)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Тактовая частота: 66MHz
• Время доступа: 85ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 85ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-VFBGA
• Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 125MHz
• Время доступа: 7ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Cypress Semiconductor Corp
• Серия: GL-S
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TA)
• Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• Тип корпуса: 56-TSOP
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: FLASH - NOR
• Тип памяти: Non-Volatile
• Время доступа: 100ns
• Формат памяти: FLASH
• Время цикла записи - слово, страница: 60ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel