- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS4C64M16D3LA-12BANTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | Alliance Memory, Inc. | Surface Mount | DRAM | 800MHz | Volatile | 1Gb (64M x 16) | 1.283V ~ 1.45V | SDRAM - DDR3L | -40°C ~ 105°C (TC) | 96-FBGA (8x13) | 96-VFBGA | 20ns | Parallel | 15ns | Automotive, AEC-Q100 |
S25FS064SDSMFB010 | IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 80MHz | Non-Volatile | 64Mb (8M x 8) | 1.7V ~ 2V | FLASH - NOR | -40°C ~ 105°C (TA) | 8-SOIC | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) | SPI - Quad I/O, QPI | FS-S | ||
S29AL016J70BFI012 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 16Mb (2M x 8, 1M x 16) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 85°C (TA) | 48-FBGA (8.15x6.15) | 48-VFBGA | 70ns | Parallel | 70ns | AL-J | |
CY7C0831AV-133BBXI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 144FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 133MHz | Volatile | 2Mb (128K x 18) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Dual Port, Synchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 144-FBGA (13x13) | 144-LBGA | Parallel | |||
71V124SA10YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ | IDT, Integrated Device Technology Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 1Mb (128K x 8) | 3.15V ~ 3.6V | SRAM - Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 32-SOJ | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) | 10ns | Parallel | 10ns | ||
IS61LPS25618A-200TQI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | SRAM | 200MHz | Volatile | 4.5Mb (256K x 18) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR | -40°C ~ 85°C (TA) | 100-LQFP (14x20) | 100-LQFP | 3.1ns | Parallel | ||
AT29LV040A-20TC | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 32TSOP | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 3V ~ 3.6V | FLASH | 0°C ~ 70°C (TC) | 32-TSOP | 32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 200ns | Parallel | 20ms | ||
SST25VF020-20-4C-QAE | IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8WSON | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | 20MHz | Non-Volatile | 2Mb (256K x 8) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH | 0°C ~ 70°C (TA) | 8-WSON | 8-WDFN Exposed Pad | SPI | 20µs | SST25 | |
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR | IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 167MHz | Volatile | 128Mb (4M x 32) | 3V ~ 3.6V | SDRAM | -40°C ~ 85°C (TA) | 90-VFBGA (8x13) | 90-VFBGA | 5.4ns | Parallel | 12ns | |
5962-9166204MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PGA | Renesas Electronics America Inc | Through Hole | SRAM | Volatile | 64Kb (4K x 16) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Dual Port, Synchronous | -55°C ~ 125°C (TA) | 84-PGA (27.94x27.94) | 84-BPGA | 55ns | Parallel | 55ns | ||
IDT71T75902S80BGI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 18Mb (1M x 18) | 2.375V ~ 2.625V | SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) | -40°C ~ 85°C (TA) | 119-PBGA (14x22) | 119-BGA | 8ns | Parallel | |||
CY62256L-70SNXC | STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS | Rochester Electronics, LLC | Surface Mount | SRAM | Volatile | 256Kb (32K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Asynchronous | 0°C ~ 70°C (TA) | 28-SOIC | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 70ns | Parallel | 70ns | MoBL® | |
BR93G86NUX-3TTR | IC EEPROM 16KBIT VSON008X2030 | Rohm Semiconductor | Surface Mount | EEPROM | 3MHz | Non-Volatile | 16Kb (2K x 8, 1K x 16) | 1.7V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | VSON008X2030 | 8-UFDFN Exposed Pad | SPI | 5ms | ||
BR93H86RF-2LBH2 | IC EEPROM 16KBIT SPI 2MHZ 8SOP | Rohm Semiconductor | Surface Mount | EEPROM | 2MHz | Non-Volatile | 16Kb (1K x 16) | 2.5V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 125°C (TA) | 8-SOP | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | SPI | 4ms | ||
BR24G04-3 | IC EEPROM 4KBIT I2C 400KHZ 8DIP | Rohm Semiconductor | Through Hole | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 4Kb (512 x 8) | 1.6V ~ 5.5V | EEPROM | -40°C ~ 85°C (TA) | 8-DIP-T | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | I²C | 5ms |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.