Найдено: 63748
Наименование Описание Производитель
Вид монтажа
Формат памяти
Тактовая частота
Тип памяти
Объем памяти
Напряжение питания
Технология
Рабочая температура
Тип корпуса
Package / Case
Время доступа
Интерфейс
Время цикла записи - слово, страница
Серия
DS1250Y-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated Through Hole NVSRAM Non-Volatile 4Mb (512K x 8) 4.5V ~ 5.5V NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 0°C ~ 70°C (TA) 32-EDIP 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 100ns Parallel 100ns
S29AL008J70WGN029 IC FLASH 8MBIT PARALLEL WAFER Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH Non-Volatile 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 2.7V ~ 3.6V FLASH - NOR -40°C ~ 125°C (TA) Wafer Die 70ns Parallel 70ns AL-J
S29CD016J0PQFM110 IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP Cypress Semiconductor Corp Surface Mount FLASH 66MHz Non-Volatile 16Mb (512K x 32) 1.65V ~ 2.75V FLASH - NOR -40°C ~ 125°C (TA) 80-PQFP (14x20) 80-BQFP 54ns Parallel 60ns CD-J
CY7C1512UV18-267BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Cypress Semiconductor Corp Surface Mount SRAM 267MHz Volatile 72Mb (4M x 18) 1.7V ~ 1.9V SRAM - Synchronous, QDR II+ -40°C ~ 85°C (TA) 165-FBGA (13x15) 165-LBGA Parallel
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount SRAM Volatile 8Mb (512K x 16) 2.4V ~ 3.6V SRAM - Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 44-TSOP II 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 8ns Parallel 8ns
IS41LV16100B-50TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Surface Mount DRAM Volatile 16Mb (1M x 16) 3V ~ 3.6V DRAM - EDO 0°C ~ 70°C (TA) 44-TSOP II 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 25ns Parallel
SST39WF1601-70-4I-MBQE IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 16Mb (1M x 16) 1.65V ~ 1.95V FLASH -40°C ~ 85°C (TA) 48-WFBGA (6x4) 48-WFBGA 70ns Parallel 40µs SST39 MPF™
24VL025/MS IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP Microchip Technology Surface Mount EEPROM 400kHz Non-Volatile 2Kb (256 x 8) 1.5V ~ 3.6V EEPROM -20°C ~ 85°C (TA) 8-MSOP 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 900ns I²C 5ms
AT49BV320T-11TI IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP Microchip Technology Surface Mount FLASH Non-Volatile 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 2.65V ~ 3.3V FLASH -40°C ~ 85°C (TC) 48-TSOP 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 110ns Parallel 150µs
AT28C256-25FM/883 IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK Microchip Technology Surface Mount EEPROM Non-Volatile 256Kb (32K x 8) 4.5V ~ 5.5V EEPROM -55°C ~ 125°C (TC) 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed 28-CFlatPack 250ns Parallel 10ms
MT47H64M8CF-25E L:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Surface Mount DRAM 400MHz Volatile 512Mb (64M x 8) 1.7V ~ 1.9V SDRAM - DDR2 0°C ~ 85°C (TC) 60-FBGA (8x10) 60-TFBGA 400ps Parallel 15ns
IDT71V35761S166BQG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM 166MHz Volatile 4.5Mb (128K x 36) 3.135V ~ 3.465V SRAM - Synchronous, SDR 0°C ~ 70°C (TA) 165-CABGA (13x15) 165-TBGA 3.5ns Parallel
70261L15PFI IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 256Kb (16K x 16) 4.5V ~ 5.5V SRAM - Dual Port, Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 100-TQFP (14x14) 100-LQFP 15ns Parallel 15ns
70T651S10BFI8 IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA Renesas Electronics America Inc Surface Mount SRAM Volatile 9Mb (256K x 36) 2.4V ~ 2.6V SRAM - Dual Port, Asynchronous -40°C ~ 85°C (TA) 208-CABGA (15x15) 208-LFBGA 10ns Parallel 10ns
S34MS04G100TFI000Z 4 GB ECC, 1.8V SLC NAND FLASH Spansion

Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.

Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.

Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.


Справочная информация по основным параметрам:

Memory Type (Тип памяти) — Память делится на два основных типа - энергозависимая и энергонезависимая. Последнее означает что данные, помещенные в память не теряются после отключения питания.
Write Cycle Time - Word, Page (Время цикла записи - слово, страница) — Минимальное время, отсчитываемое от установки данных на шине адреса, необходимое для записи данных в ячейки памяти.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Access Time (Время доступа) — Одна из главных характеристик памяти, обозначающая время с момента установки адреса до появления валидных уровней на шине данных.
Memory Size (Объем памяти) — Объем, количество ячеек памяти на одном чипе.
Clock Frequency (Тактовая частота) — Частота тактовых импульсов, подающихся на отдельный вывод микросхемы и обеспечивающая переключение логических цепочек во время циклов чтения, записи, регенерации.