- Формат памяти
- Тактовая частота
- Тип памяти
- Объем памяти
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Package / Case
- Время доступа
- Интерфейс
- Время цикла записи - слово, страница
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Вид монтажа
|
Формат памяти
|
Тактовая частота
|
Тип памяти
|
Объем памяти
|
Напряжение питания
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Package / Case
|
Время доступа
|
Интерфейс
|
Время цикла записи - слово, страница
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Through Hole | NVSRAM | Non-Volatile | 4Mb (512K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | 0°C ~ 70°C (TA) | 32-EDIP | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) | 100ns | Parallel | 100ns | ||
S29AL008J70WGN029 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL WAFER | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) | 2.7V ~ 3.6V | FLASH - NOR | -40°C ~ 125°C (TA) | Wafer | Die | 70ns | Parallel | 70ns | AL-J | |
S29CD016J0PQFM110 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | FLASH | 66MHz | Non-Volatile | 16Mb (512K x 32) | 1.65V ~ 2.75V | FLASH - NOR | -40°C ~ 125°C (TA) | 80-PQFP (14x20) | 80-BQFP | 54ns | Parallel | 60ns | CD-J |
CY7C1512UV18-267BZI | IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA | Cypress Semiconductor Corp | Surface Mount | SRAM | 267MHz | Volatile | 72Mb (4M x 18) | 1.7V ~ 1.9V | SRAM - Synchronous, QDR II+ | -40°C ~ 85°C (TA) | 165-FBGA (13x15) | 165-LBGA | Parallel | |||
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 8Mb (512K x 16) | 2.4V ~ 3.6V | SRAM - Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 44-TSOP II | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 8ns | Parallel | 8ns | ||
IS41LV16100B-50TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Surface Mount | DRAM | Volatile | 16Mb (1M x 16) | 3V ~ 3.6V | DRAM - EDO | 0°C ~ 70°C (TA) | 44-TSOP II | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 25ns | Parallel | |||
SST39WF1601-70-4I-MBQE | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 16Mb (1M x 16) | 1.65V ~ 1.95V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TA) | 48-WFBGA (6x4) | 48-WFBGA | 70ns | Parallel | 40µs | SST39 MPF™ | |
24VL025/MS | IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | 400kHz | Non-Volatile | 2Kb (256 x 8) | 1.5V ~ 3.6V | EEPROM | -20°C ~ 85°C (TA) | 8-MSOP | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 900ns | I²C | 5ms | |
AT49BV320T-11TI | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | Microchip Technology | Surface Mount | FLASH | Non-Volatile | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 2.65V ~ 3.3V | FLASH | -40°C ~ 85°C (TC) | 48-TSOP | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) | 110ns | Parallel | 150µs | ||
AT28C256-25FM/883 | IC EEPROM 256KBIT PAR 28FLATPK | Microchip Technology | Surface Mount | EEPROM | Non-Volatile | 256Kb (32K x 8) | 4.5V ~ 5.5V | EEPROM | -55°C ~ 125°C (TC) | 28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed | 28-CFlatPack | 250ns | Parallel | 10ms | ||
MT47H64M8CF-25E L:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | Micron Technology Inc. | Surface Mount | DRAM | 400MHz | Volatile | 512Mb (64M x 8) | 1.7V ~ 1.9V | SDRAM - DDR2 | 0°C ~ 85°C (TC) | 60-FBGA (8x10) | 60-TFBGA | 400ps | Parallel | 15ns | |
IDT71V35761S166BQG8 | IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | 166MHz | Volatile | 4.5Mb (128K x 36) | 3.135V ~ 3.465V | SRAM - Synchronous, SDR | 0°C ~ 70°C (TA) | 165-CABGA (13x15) | 165-TBGA | 3.5ns | Parallel | ||
70261L15PFI | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 256Kb (16K x 16) | 4.5V ~ 5.5V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 100-TQFP (14x14) | 100-LQFP | 15ns | Parallel | 15ns | ||
70T651S10BFI8 | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA | Renesas Electronics America Inc | Surface Mount | SRAM | Volatile | 9Mb (256K x 36) | 2.4V ~ 2.6V | SRAM - Dual Port, Asynchronous | -40°C ~ 85°C (TA) | 208-CABGA (15x15) | 208-LFBGA | 10ns | Parallel | 10ns | ||
S34MS04G100TFI000Z | 4 GB ECC, 1.8V SLC NAND FLASH | Spansion |
- 10
- 15
- 50
- 100
Полупроводниковая память — это цифровое электронное устройство, используемое для хранения цифровых данных, например, в компьютерах. Обычно это относится к устройствам, в которых данные хранятся в ячейках памяти металл-оксид-полупроводник (МОП) на кремниевой микросхеме памяти на интегральной схеме. Существует множество различных типов, использующих разные полупроводниковые технологии. Двумя основными типами оперативной памяти (ОЗУ) являются статическая ОЗУ (SRAM), в которой используется несколько транзисторов на ячейку памяти, и динамическая ОЗУ (DRAM), в которой на ячейку используется транзистор и МОП-конденсатор. В энергонезависимой памяти (такой как EPROM, EEPROM и флэш-память) используются ячейки памяти с плавающим затвором, которые состоят из одного транзистора с плавающим затвором на ячейку.
Большинство типов полупроводниковой памяти обладают свойством произвольного доступа, что означает, что для доступа к любой ячейке памяти требуется одинаковое количество времени, поэтому к данным можно эффективно получить доступ в любом случайном порядке. Это контрастирует с носителями данных, такими как компакт-диски, которые считывают и записывают данные последовательно, и поэтому доступ к данным можно получить только в той же последовательности, в которой они были записаны. Полупроводниковая память также имеет гораздо более быстрое время доступа, чем другие типы хранения данных; байт данных может быть записан или прочитан из полупроводниковой памяти в течение нескольких наносекунд, тогда как время доступа к вращающимся хранилищам, таким как жесткие диски, находится в диапазоне миллисекунд.
Продажи полупроводниковых чипов памяти составляет 30% полупроводниковой промышленности. Сдвиговые регистры, регистры процессора, буферы данных и другие небольшие цифровые регистры, которые не имеют механизма декодирования адреса памяти, обычно не называются памятью, хотя они также хранят цифровые данные.