-
- Конфигурация
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Входной каскад
- Тип канала
- IGBT Type
- Резистор базы (R1)
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Выходная мощность
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Резистор эмиттер-база (R2)
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Test Condition
- Voltage - Test
- Current - Test
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Ток стока макс (Id)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: HBSOF-4-1
- Тип корпуса: PG-HBSOF-4-1
- Частота: 869MHz ~ 960MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 240W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.5dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 10µA
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: 4-SMD
- Тип корпуса: SMD
- Частота: 12GHz
- Номинальное напряжение: 4V
- Current - Test: 10mA
- Тип транзистора: HFET
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 2V
- Коэффициент шума: 0.5dB
- Номинальный ток: 15mA
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Частота: 65MHz
- Номинальное напряжение: 500V
- Выходная мощность: 400W
- Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 150V
- Номинальный ток: 15A
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: HBSOF-6-2
- Тип корпуса: PG-HBSOF-6-2
- Частота: 790MHz ~ 820MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 280W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 10µA
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440217
- Тип корпуса: 440217
- Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 500W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 24A
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: SOT-143R
- Тип корпуса: SOT-143R
- Частота: 800MHz
- Номинальное напряжение: 7V
- Current - Test: 15mA
- Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
- Voltage - Test: 5V
- Коэффициент шума: 2dB
- Номинальный ток: 40mA
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: NI-780S-4
- Тип корпуса: NI-780S-4
- Частота: 2.3GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 280mA
- Выходная мощность: 16W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 14.6dB
- Voltage - Test: 28V
- 10
- 15
- 50
- 100