Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IC(MAX) 101A

    • Тип корпуса
    • Input Type
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • NXH450B100H4Q2F2PG
    1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 234W
    • Ток коллектора (макс): 101A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
    • Обратный ток коллектора: 600µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NXH450B100H4Q2F2SG
    1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: 56-PIM (93x47)
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 234W
    • Ток коллектора (макс): 101A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
    • Обратный ток коллектора: 600µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT40GP90B2DQ2G
    IGBT 900V 101A 543W TMAX
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 101A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
    • Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Switching Energy: 795µJ (off)
    • Gate Charge: 145nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT40GP90B2DQ2G
    IGBT 900V 101A 543W TMAX
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3 Variant
    • Мощность - Макс.: 543W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 101A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
    • Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Switching Energy: 795µJ (off)
    • Gate Charge: 145nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100