- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Конфигурация
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Входной каскад
|
IGBT Type
|
Обратный ток коллектора
|
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
|
Input Capacitance (Cies) @ Vce
|
Input
|
Test Condition
|
Current - Collector Pulsed (Icm)
|
NTC Thermistor
|
Switching Energy
|
Gate Charge
|
Td (on/off) @ 25°C
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT40GP90B2DQ2G | IGBT 900V 101A 543W TMAX | Microchip Technology | TO-247-3 Variant | 101A | 900V | 543W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | Standard | PT | 3.9V @ 15V, 40A | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 160A | 795µJ (off) | 145nC | 14ns/90ns | POWER MOS 7® | ||||||
| APT40GP90B2DQ2G | IGBT 900V 101A 543W TMAX | Microsemi Corporation | TO-247-3 Variant | 101A | 900V | 543W | Through Hole | -55°C ~ 150°C (TJ) | Standard | PT | 3.9V @ 15V, 40A | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 160A | 795µJ (off) | 145nC | 14ns/90ns | POWER MOS 7® | ||||||
| NXH450B100H4Q2F2PG | 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED | onsemi | 101A | 1000V | 234W | Surface Mount | 2 Independent | -40°C ~ 150°C (TJ) | 600µA | 2.25V @ 15V, 150A | 9.342 nF @ 20 V | Standard | Yes | ||||||||||
| NXH450B100H4Q2F2SG | 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED | onsemi | Module | 101A | 1000V | 234W | Chassis Mount | 2 Independent | -40°C ~ 150°C (TJ) | 56-PIM (93x47) | 600µA | 2.25V @ 15V, 150A | 9.342 nF @ 20 V | Standard | Yes |
- 10
- 15
- 50
- 100