- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Мощность - Макс.
-
- Тип корпуса
- Входной каскад
- IGBT Type
- Обратный ток коллектора
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
- Input Capacitance (Cies) @ Vce
- Input
- Test Condition
- Current - Collector Pulsed (Icm)
- Время обратного восстановления (trr)
- NTC Thermistor
- Switching Energy
- Gate Charge
- Td (on/off) @ 25°C
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация: 2 Independent
- Мощность - Макс.: 234W
- Ток коллектора (макс): 101A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
- Обратный ток коллектора: 600µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: 56-PIM (93x47)
- Конфигурация: 2 Independent
- Мощность - Макс.: 234W
- Ток коллектора (макс): 101A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
- Обратный ток коллектора: 600µA
- Input: Standard
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
- Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
- NTC Thermistor: Yes
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 543W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 101A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
- Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
- Switching Energy: 795µJ (off)
- Gate Charge: 145nC
- Td (on/off) @ 25°C: 14ns/90ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3 Variant
- Мощность - Макс.: 543W
- Входной каскад: Standard
- Ток коллектора (макс): 101A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
- Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
- IGBT Type: PT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
- Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
- Switching Energy: 795µJ (off)
- Gate Charge: 145nC
- Td (on/off) @ 25°C: 14ns/90ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100