• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 95
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CG2H40010P 10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P Cree/Wolfspeed 440196 10W 8GHz 120V 440196 HEMT 16.7dB 28V 200mA GaN
MAGX-000035-01000P TRANSISTOR RF 10W GAN MACOM Technology Solutions 10W 3.5GHz 65V 500mA HEMT 17dB 50V 30mA
MRF282ZR1 FET RF 65V 2GHZ NI-200Z NXP USA Inc. NI-200Z 10W 2GHz 65V NI-200Z LDMOS 11.5dB 26V 75mA
MRF6S9045MR1 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 880MHz 68V TO-270-2 LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100