• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 95
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 2.17GHZ NI-360
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360
    • Тип корпуса: NI-360
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 66V 880MHZ TO-270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4 Gull
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 66V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.1dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S-4L
    • Тип корпуса: NI-780S-4L
    • Частота: 2.03GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270BA
    • Тип корпуса: TO-270G-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780-4
    • Тип корпуса: NI-780-4
    • Частота: 2.03GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1227B
    • Тип корпуса: SOT1227B
    • Частота: 6GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: GaN HEMT
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-880H-2L
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 350mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 22.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: NI-360HF
    • Тип корпуса: NI-360HF
    • Частота: 3.55GHz
    • Номинальное напряжение: 15V
    • Current - Test: 180mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: pHEMT FET
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440196
    • Тип корпуса: 440196
    • Частота: 8GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 16.7dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    • Тип корпуса: PowerSO-10RF (Formed Lead)
    • Частота: 870MHz
    • Номинальное напряжение: 40V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 13.6V
    • Номинальный ток: 7A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S-4
    • Тип корпуса: NI-780S-4
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 18.2dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AA
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 130mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 120V 220MHZ
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-2
    • Тип корпуса: TO-270-2
    • Частота: 220MHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 30mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 23.9dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-4
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 10W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: