• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 95
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
MRF6S9045NBR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor NI-880H-2L 10W 1GHz 68V 10µA SOT-957A LDMOS 22.7dB 28V 350mA
MRF7P20040HSR3 RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL Freescale Semiconductor NI-780S-4 10W 1.8GHz ~ 2.2GHz 65V 10µA NI-780S-4 LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
MRFE6S9045GNR1 FET RF 66V 880MHZ TO-270-2 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 Gull 10W 880MHz 66V TO-270BB LDMOS 22.1dB 28V 350mA
MRF7P20040HSR3 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 NXP USA Inc. NI-780S-4L 10W 2.03GHz 65V NI-780S-4L LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
MRF6V2010GNR5 FET RF 110V 220MHZ TO-270G-2 NXP USA Inc. TO-270G-2 10W 220MHz 110V TO-270BA LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRF7P20040HR5 FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4 NXP USA Inc. NI-780-4 10W 2.03GHz 65V NI-780-4 LDMOS (Dual) 18.2dB 32V 150mA
CLF1G0060S-10 RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL NXP USA Inc. SOT1227B 10W 6GHz 150V SOT-1227B GaN HEMT 16dB 50V 50mA
MRF5S21045MR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 10W 2.11GHz ~ 2.17GHz 68V TO-270-4 LDMOS 14.5dB 28V 500mA
MRF6S20010NR1 FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MRF21010LR1 FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 NXP USA Inc. NI-360 10W 2.17GHz 65V NI-360 LDMOS 13.5dB 28V 100mA
MMRF1004NR1 RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 NXP USA Inc. TO-270-2 10W 2.17GHz 68V TO-270AA LDMOS 15.5dB 28V 130mA
MMRF1012NR1 FET RF 120V 220MHZ NXP USA Inc. TO-270-2 10W 220MHz 120V TO-270-2 LDMOS 23.9dB 50V 30mA
MRFG35010R5 RF POWER N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-360HF 10W 3.55GHz 15V NI-360HF pHEMT FET 10dB 12V 180mA
PD85025TR-E TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF STMicroelectronics PowerSO-10RF (Formed Lead) 10W 870MHz 40V 7A PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) LDMOS 17.3dB 13.6V 300mA
CG2H40010P 10W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, P Wolfspeed, Inc. 440196 10W 8GHz 120V 440196 HEMT 16.7dB 28V 200mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100