- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AA
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 130mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-360
- Тип корпуса: NI-360
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270BB
- Тип корпуса: TO-270 WB-4 Gull
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 66V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.1dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S-4L
- Тип корпуса: NI-780S-4L
- Частота: 2.03GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 18.2dB
- Voltage - Test: 32V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270BA
- Тип корпуса: TO-270G-2
- Частота: 220MHz
- Номинальное напряжение: 110V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 23.9dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780-4
- Тип корпуса: NI-780-4
- Частота: 2.03GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 18.2dB
- Voltage - Test: 32V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: SOT-1227B
- Тип корпуса: SOT1227B
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 150V
- Current - Test: 50mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: GaN HEMT
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Freescale Semiconductor
- Package / Case: SOT-957A
- Тип корпуса: NI-880H-2L
- Частота: 1GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 350mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 22.7dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Package / Case: NI-360HF
- Тип корпуса: NI-360HF
- Частота: 3.55GHz
- Номинальное напряжение: 15V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: pHEMT FET
- Усиление: 10dB
- Voltage - Test: 12V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 440196
- Тип корпуса: 440196
- Частота: 8GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 16.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Package / Case: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
- Тип корпуса: PowerSO-10RF (Formed Lead)
- Частота: 870MHz
- Номинальное напряжение: 40V
- Current - Test: 300mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.3dB
- Voltage - Test: 13.6V
- Номинальный ток: 7A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Freescale Semiconductor
- Package / Case: NI-780S-4
- Тип корпуса: NI-780S-4
- Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS (Dual)
- Усиление: 18.2dB
- Voltage - Test: 32V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270AA
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 130mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-2
- Тип корпуса: TO-270-2
- Частота: 220MHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 23.9dB
- Voltage - Test: 50V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: TO-270-4
- Тип корпуса: TO-270 WB-4
- Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 68V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100