Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET H-32259-2 10W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: H-32259-2
- Тип корпуса: H-32259-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: H-32259-2
- Тип корпуса: H-32259-2
- Частота: 2.68GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 180mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: H-32259-2
- Тип корпуса: H-32259-2
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 10W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100