• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
PTF180101S V1 FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 Infineon Technologies H-32259-2 10W 1.99GHz 65V 1µA H-32259-2 LDMOS 19dB 28V 180mA GOLDMOS®
PTF240101S V1 FET RF 65V 2.68GHZ H-32259-2 Infineon Technologies H-32259-2 10W 2.68GHz 65V 1µA H-32259-2 LDMOS 16dB 28V 180mA GOLDMOS®
PTF080101S V1 FET RF 65V 960MHZ H-32259-2 Infineon Technologies H-32259-2 10W 960MHz 65V 1µA H-32259-2 LDMOS 18.5dB 28V 150mA GOLDMOS®
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100