Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET IXYS

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2430
  • IXTX3N250L
    MOSFET DISCRETE TO-247P
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PLUS247™-3
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 2500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 417W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTH12N100
    MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: MegaMOS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFH74N20P
    MOSFET N-CH 200V 74A TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHT™ HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD (IXFH)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 107nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP72N20X3
    200V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3780pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 320W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP3N100P
    MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarVHV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GWM100-01X1-SL
    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 17-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: ISOPLUS-DIL™
    • Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 80A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTU12N06T
    MOSFET N-CH 60V 12A TO-251
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: TrenchMV™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    • Тип корпуса: TO-251
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 33W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFH150N17T2
    MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD (IXFH)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 175V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 233nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14600pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 880W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTA102N15T-TRL
    IXTA102N15T TRL
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263 (IXTA)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 51A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5220pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 455W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFP30N25X3M
    MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    • Тип корпуса: TO-220 Isolated Tab
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 36W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTH6N120
    MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTP05N100
    MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTA200N055T2-7
    DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
    • Тип корпуса: TO-263-7
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6970pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXFA4N85X
    MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: HiPerFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263 (IXFA)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 247pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXTY4N60P
    MOSFET N-CH TO-252
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: PolarHV™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 635pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 89W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100