• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• Тип корпуса: TO-220 Isolated Tab
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 650V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1520pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 290W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchHV™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 750W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: TO-268 (IXFT)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 850V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2460pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 695W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS247™
• Тип корпуса: ISOPLUS247™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 320W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (IXTA)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 125W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarP2™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS247™
• Тип корпуса: ISOPLUS247™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 12A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 230W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: ISOPLUS264™
• Тип корпуса: ISOPLUS264™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: PLUS264™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1560W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: Polar™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 375nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1000W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (IXFA)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 240W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
• Тип корпуса: ISOPLUS i4-PAC™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: GigaMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: TO-264AA (IXFK)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 265nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19600pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarP2™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247AD (IXFH)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 126nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7300pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 660W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V