• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchP™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 50V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 298W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±15V

• Производитель: IXYS
• Серия: GigaMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PLUS247™-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 170V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 285nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1150W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263AA
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5230pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 390W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: TO-268
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarHT™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: i4-Pac™-5
• Тип корпуса: ISOPLUS i4-PAC™
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 125W

• Производитель: IXYS
• Серия: MegaMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 500mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5650pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, Polar3™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: PLUS264™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 268nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1890W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarP2™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247AD (IXFH)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 660W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS247™
• Тип корпуса: ISOPLUS247™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4600pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 310W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 400W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS-DIL™
• Тип корпуса: ISOPLUS-DIL™
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 75V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 178nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V

• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchT4™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Current Sensing
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 860nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 44000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±15V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarHT™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: PLUS-220SMD
• Тип корпуса: PLUS-220SMD
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 500W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarHT™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
• Тип корпуса: PLUS264™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1250W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V