- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Выходная мощность
|
Вид монтажа
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Усиление
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Voltage - Test
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Напряжение затвора (макс)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFK16N90Q | MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA | IXYS | TO-264AA (IXFK) | Through Hole | TO-264-3, TO-264AA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 360W (Tc) | 900V | 16A (Tc) | 650mOhm @ 8A, 10V | 10V | 5V @ 4mA | 170nC @ 10V | 4000pF @ 25V | ±20V | HiPerFET™ | |||||||||
| IXTX200N10L2 | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | IXYS | PLUS247™-3 | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 1040W (Tc) | 100V | 200A (Tc) | 11mOhm @ 100A, 10V | 10V | 4.5V @ 3mA | 540nC @ 10V | 23000pF @ 25V | ±20V | Linear L2™ | |||||||||
| MKE38P600TLB-TRR | MOSFET N-CH | IXYS | ISOPLUS-SMPD™.B | Surface Mount | 9-SMD Module | ||||||||||||||||||||||
| IXFN106N20 | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B | IXYS | SOT-227B | Chassis Mount | SOT-227-4, miniBLOC | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 521W (Tc) | 200V | 106A (Tc) | 20mOhm @ 500mA, 10V | 10V | 4V @ 8mA | 380nC @ 10V | 9000pF @ 25V | ±20V | HiPerFET™ | |||||||||
| IXFP5N100P | MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220 | IXYS | TO-220AB | Through Hole | TO-220-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 250W (Tc) | 1000V | 5A (Tc) | 2.8Ohm @ 500mA, 10V | 10V | 6V @ 250µA | 33.4nC @ 10V | 1830pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarP2™ | |||||||||
| IXTA140N055T2 | DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN2 TO-2 | IXYS | TO-263 (IXTA) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 250W (Ta) | 55V | 140A (Tc) | 5.4mOhm @ 50A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 82nC @ 10V | 4760pF @ 25V | ±20V | ||||||||||
| IXFR13N50 | MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 | IXYS | ISOPLUS247™ | Through Hole | ISOPLUS247™ | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 500V | 13A (Tc) | ||||||||||||||||||
| IXFP4N85XM | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220 | IXYS | TO-220 | Through Hole | TO-220-3 Full Pack | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 35W (Tc) | 850V | 3.5A (Tc) | 2.5Ohm @ 2A, 10V | 10V | 5.5V @ 250µA | 7nC @ 10V | 247pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™ | |||||||||
| IXFT30N50P | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 | IXYS | TO-268 | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 460W (Tc) | 500V | 30A (Tc) | 200mOhm @ 15A, 10V | 10V | 5V @ 4mA | 70nC @ 10V | 4150pF @ 25V | ±30V | HiPerFET™, PolarHT™ | |||||||||
| GWM100-0085X1-SMD | MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS | IXYS | ISOPLUS-DIL™ | Surface Mount | 17-SMD, Gull Wing | -55°C ~ 175°C (TJ) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 85V | 103A | Standard | 6.2mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 114nC @ 10V | ||||||||||||||
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | IXYS | TO-268 | Surface Mount | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 400W (Tc) | 500V | 30A (Tc) | 200mOhm @ 15A, 10V | 10V | 4.5V @ 250µA | 240nC @ 10V | 10200pF @ 25V | ±20V | ||||||||||
| IXTX46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A PLUS247 | IXYS | PLUS247™-3 | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 700W (Tc) | 500V | 46A (Tc) | 160mOhm @ 500mA, 20V | 20V | 6V @ 250µA | 260nC @ 15V | 7000pF @ 25V | ±30V | ||||||||||
| IXTM10P60 | POWER MOSFET TO-3 | IXYS | |||||||||||||||||||||||||
| IXTA80N12T2 | MOSFET N-CH 120V 80A TO-263 | IXYS | TO-263 (IXTA) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | N-Channel | 325W (Tc) | 120V | 80A (Tc) | 17mOhm @ 40A, 10V | 10V | 4V @ 250µA | 80nC @ 10V | 4740pF @ 25V | ±20V | TrenchT2™ | |||||||||
| IXFX21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247 | IXYS | PLUS247™-3 | Through Hole | TO-247-3 | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | N-Channel | 500W (Tc) | 1000V | 21A (Tc) | 500mOhm @ 10.5A, 10V | 10V | 5.5V @ 4mA | 170nC @ 10V | 6900pF @ 25V | ±20V | HiPerFET™ |
- 10
- 15
- 50
- 100