• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchT2™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220AB
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6820pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: CoolMOS™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS220™
• Тип корпуса: ISOPLUS220™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 16A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2400pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchMV™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (IXTA)
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 480W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3P
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchP™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PLUS247™-3
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 740nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 69500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1040W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±15V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-220-3, Short Tab
• Тип корпуса: PLUS220
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252AA
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7nC @ 5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 100W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: PolarHV™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Die
• Тип корпуса: Die
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 50W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: Y3-Li
• Тип корпуса: Y3-Li
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 680A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 30mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AE
• Тип корпуса: TO-204AE
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 4mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: IXYS
• Серия: PolarHV™
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
• Тип корпуса: SOT-227B
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8820pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• Тип корпуса: TO-268
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)

• Производитель: IXYS
• Серия: HiPerFET™, PolarHT™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: ISOPLUS264™
• Тип корпуса: ISOPLUS264™
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 30A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 8mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 625W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: PLUS247™-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 15V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 700W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: IXYS
• Серия: TrenchP™
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Тип корпуса: TO-263 (IXTA)
• Тип канала: P-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±15V