Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET International Rectifier

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 57
  • IRF7902TRPBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V, 900pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 1.4W (Ta), 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAE20
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7807ZPBFPRO
    HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7307PBF
    AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A, 4.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFHE4250DTRPBF
    HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 32-PowerVFQFN
    • Тип корпуса: 32-PQFN (6x6)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 156W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFH4257DTRPBF
    IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerVDFN
    • Тип корпуса: Dual PQFN (5x4)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 25A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
    • Мощность - Макс.: 25W, 28W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRF7379QTR
    AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 2.5W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFF9233
    AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRFAE32
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7304PBF
    AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 610pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF225
    N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF8313TRPBF
    IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 9.7A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF7762TRLPBF
    HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRF9952QTR
    AUIRF9952 HEXFET POWER MOSFET
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Серия: HEXFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SO
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 2W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRF441
    TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100