- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFAE30 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| 64-9174PBF | 64-9174PBF - MOSFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRFAC50 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRFF311 | TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRF8915PBF | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | 8-SO | 2W | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 20V | 8.9A | Logic Level Gate | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.4nC @ 4.5V | 540pF @ 10V | HEXFET® |
| IRFIRL60B216 | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRFAG20 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRFI4019H-117P | IRFI4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO | International Rectifier | TO-220-5 Full-Pak | 18W | Through Hole | TO-220-5 Full Pack | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 150V | 8.7A | Standard | 95mOhm @ 5.2A, 10V | 4.9V @ 50µA | 20nC @ 10V | 810pF @ 25V | |
| AUIRF1405ZL-308 | AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRFAC30 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | International Rectifier | ||||||||||||||
| IRF7306PBF | AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL | International Rectifier | 8-SO | 2W (Ta) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 P-Channel (Dual) | 30V | 3.6A (Ta) | Logic Level Gate | 100mOhm @ 1.8A, 10V | 1V @ 250µA | 25nC @ 10V | 440pF @ 25V | HEXFET® |
| IRF7101PBF | HEXFET POWER MOSFET | International Rectifier | 8-SO | 2W | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Dual) | 20V | 3.5A | Logic Level Gate | 100mOhm @ 1.8A, 10V | 3V @ 250µA | 15nC @ 10V | 320pF @ 15V | HEXFET® |
- 10
- 15
- 50
- 100