- Производитель
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™ P7
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Тип корпуса: PG-TO251-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 400V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 306pF @ 400V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 34.7W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: Micro6™(TSOP-6)
- Тип канала: P-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.8A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 511pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: PG-TO263-3-2
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: PG-TO220-3-1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 43A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 55µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 134nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6475pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 105W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37265-2
- Частота: 1.96GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 450mA
- Выходная мощность: 11W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 290nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7960pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 300W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: SIPMOS®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: PG-TO220-3
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 40W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 68W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 230W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: PG-TO263-3-2
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 53µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 66nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5260pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 94W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 8-SO
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.1A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
- Тип корпуса: DIRECTFET S1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 15V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta), 17W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: HEXFET®
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Тип корпуса: TO-262
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 55V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 5V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
- Напряжение затвора (макс): ±16V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: OptiMOS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-PowerTDFN
- Тип корпуса: PG-TDSON-8-1
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 93µA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 30V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±20V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100