Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 220W

Найдено: 14
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 960MHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36260-2
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF LDMOS 220W H33288-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-33288-2
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 940MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.75A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36260-2
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF LDMOS 240W H33288-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-33288-2
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 765MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF LDMOS 240W H33288-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-33288-2
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 765MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36260-2
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF LDMOS 220W H33288-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-33288-2
    • Тип корпуса: H-33288-2
    • Частота: 940MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.75A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 894MHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36260-2
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 894MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.95A
    • Выходная мощность: 220W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: