Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 44dBm

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • PTFA191001F V4 R250
    IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37248-2
    • Частота: 1.96GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 44dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA191001F V4
    IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37248-2
    • Частота: 1.96GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 44dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA191001EV4R250XTMA1
    IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36248-2
    • Частота: 1.96GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 44dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA191001EV4XWSA1
    IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36248-2
    • Частота: 1.96GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 44dBm
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100