Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 150W

- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 16

PTFB191501FV1XWSA1

FET RF LDMOS 150W H37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA041501HL V1 R250

IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: PG-64248-2
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA041501GL V1 R250

IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: PG-63248-2
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA071701EV4XWSA1

FET RF LDMOS 170W H36248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-36248-2
- Частота: 765MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.7dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA041501GL V1

IC FET RF LDMOS 150W PG-63248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: PG-63248-2
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFB191501EV1XWSA1

FET RF LDMOS 150W H36248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-36248-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA081501F V1

IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-31248-2
- Частота: 900MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 950mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFB191501FV1R250XTMA1

FET RF LDMOS 150W H37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTF141501E V1

IC FET RF LDMOS 150W H-30260-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-30260-2
- Частота: 1.5GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.5A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA071701FV4R250XTMA1

FET RF LDMOS 170W H37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 765MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.7dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA081501E V1

FET RF 65V 900MHZ H-30248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: GOLDMOS®
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-30248-2
- Частота: 900MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 950mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFB191501EV1R250XTMA1

FET RF LDMOS 150W H36248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
- Тип корпуса: H-36248-2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA071701FV4XWSA1

FET RF LDMOS 170W H37248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-37248-2
- Частота: 765MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18.7dB
- Voltage - Test: 30V
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA041501HL V1

IC FET RF LDMOS 150W PG-64248-2

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: PG-64248-2
- Частота: 470MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 1µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
PTFA091503ELV4R0XTMA1

RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6

Infineon Technologies
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-33288-6
- Частота: 920MHz ~ 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.25A
- Выходная мощность: 150W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 30V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: