Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Infineon Technologies 200W

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • PTFA212001EV4R0XTMA1
    RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.17GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.6A
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.8dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA092213FLV5R250XTMA1
    IC FET RF LDMOS H-34288-6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA092213FLV5XWSA1
    IC FET RF LDMOS H-34288-4/2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.85A
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PTFA192001EV4R0XTMA1
    RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.6A
    • Выходная мощность: 200W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.9dB
    • Voltage - Test: 30V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100