• Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
PTFA212001EV4R0XTMA1 RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 200W 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.8dB 30V 1.6A
PTFA092213FLV5R250XTMA1 IC FET RF LDMOS H-34288-6 Infineon Technologies H-34288-2 200W 960MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 17.5dB 30V 1.85A
PTFA092213FLV5XWSA1 IC FET RF LDMOS H-34288-4/2 Infineon Technologies H-34288-4/2 200W 960MHz 65V 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 17.5dB 30V 1.85A
PTFA192001EV4R0XTMA1 RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2 Infineon Technologies H-36260-2 200W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 15.9dB 30V 1.6A
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100