Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 12A Pmax 125W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
  • BDV64B
    TRANS PNP 100V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STWH13009
    TRANS NPN 400V 12A TO247-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV65
    TRANS NPN 60V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV65B
    TRANS NPN 100V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV64B
    TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV64A
    TRANS PNP 80V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV65A
    TRANS NPN 80V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV64
    TRANS PNP 60V 12A TO218
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV64
    T-PNP SI- HIGH PWR DARL
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BDV65
    T-NPN SI- HIGH PWR DARL
    NTE Electronics, Inc
    • Производитель: NTE Electronics, Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-218-3
    • Тип корпуса: TO-218
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
    • Граничная частота: 60MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STW13009
    TRANS NPN 400V 12A TO247-3
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 125W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100