-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: TO-218
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100