• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 11
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
BDV64B TRANS PNP 100V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 100V 125W Through Hole PNP TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV65 TRANS NPN 60V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 60V 125W Through Hole NPN TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV65B TRANS NPN 100V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 100V 125W Through Hole NPN TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV64A TRANS PNP 80V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 80V 125W Through Hole PNP TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV65A TRANS NPN 80V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 80V 125W Through Hole NPN TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV64 TRANS PNP 60V 12A TO218 Central Semiconductor Corp TO-218-3 12A 60V 125W Through Hole PNP TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV64 T-PNP SI- HIGH PWR DARL NTE Electronics, Inc TO-218-3 12A 60V 125W Through Hole PNP TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV65 T-NPN SI- HIGH PWR DARL NTE Electronics, Inc TO-218-3 12A 60V 125W Through Hole NPN TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
BDV64B TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218 Rochester Electronics, LLC TO-218-3 12A 100V 125W Through Hole PNP TO-218 1000 @ 5A, 4V 60MHz
STW13009 TRANS NPN 400V 12A TO247-3 STMicroelectronics TO-247-3 12A 400V 125W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-247-3 2.5V @ 3A, 12A 15 @ 5A, 5V
STWH13009 TRANS NPN 400V 12A TO247-3 STMicroelectronics TO-247-3 12A 400V 125W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-247-3 2V @ 2.4A, 12A 18 @ 5A, 5V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100