Полупроводники, Интегральные микросхемы, Микросхемы памяти DRAM

Найдено: 8206
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-TWBGA (8x10.5)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 2Gb (256M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 800MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 54-TFBGA
    • Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 90-VFBGA
    • Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 5.4ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 96-VFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 800MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 200-VFBGA
    • Тип корпуса: 200-VFBGA (10x14.5)
    • Напряжение питания: 1.1V
    • Объем памяти: 32Gb (1G x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 2133MHz
    • Формат памяти: DRAM
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SECURE SPIFLASH, 1.8V, 32M-BIT,
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
    • Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 32Mb (4M x 8)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 104MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI, DTR
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-WBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 933MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 144-TFBGA
    • Тип корпуса: 144-FCBGA (11x18.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 576Mb (32M x 18)
    • Технология: DRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 300MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 32MBIT PARALLEL 90TFBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 90-TFBGA
    • Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 32Mb (1M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 12ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 144-TFBGA
    • Тип корпуса: 144-FCBGA (11x18.5)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 576Mb (64M x 9)
    • Технология: DRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 300MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 667MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 12G PARALLEL 168FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 168-VFBGA
    • Тип корпуса: 168-FBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 12Gb (384M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 533MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP II
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: