Микросхемы памяти DRAM | Интегральные микросхемы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 8206

IS43TR82560D-125KBLI-TR

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 78-TFBGA
- Тип корпуса: 78-TWBGA (8x10.5)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 2Gb (256M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 800MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 54-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 14ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16100C1-7TI

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 143MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16160B-6BL-TR

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-LFBGA
- Тип корпуса: 54-LFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.4ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS49NLS96400A-33WBL

IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 144-TFBGA
- Тип корпуса: 144-TWBGA (11x18.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 576Mb (64M x 9)
- Технология: DRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 300MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42SM32200M-75BLI-TR

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 90-TFBGA
- Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
- Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
- Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT47H512M8WTR-3:C

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 63-TFBGA
- Тип корпуса: 63-FBGA (9x11.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 333MHz
- Время доступа: 450ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
MT48LC8M16LFF4-10:G

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

Micron Technology Inc.
- Производитель: Micron Technology Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 54-VFBGA
- Тип корпуса: 54-VFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile LPSDR
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 100MHz
- Время доступа: 7ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42S16100E-6TL-TR

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
- Тип корпуса: 50-TSOP II
- Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
- Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
- Технология: SDRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 5.5ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
AS4C128M16D3LA-12BINTR

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA

Alliance Memory, Inc.
- Производитель: Alliance Memory, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-VFBGA
- Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
- Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
- Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3L
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 800MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
W956D8MBYA6I

64MB HYPERRAM X8, 166MHZ, IND TE

Winbond Electronics
- Производитель: Winbond Electronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
- Package / Case: 24-TBGA
- Тип корпуса: 24-TFBGA (6x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 2V
- Объем памяти: 64Mb (8M x 8)
- Технология: HyperRAM
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 166MHz
- Время доступа: 36ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 36ns
- Интерфейс: HyperBus
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS42VM16400M-75BLI-TR

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: 54-TFBGA
- Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
- Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
- Технология: SDRAM - Mobile
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 133MHz
- Время доступа: 6ns
- Формат памяти: DRAM
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
EM68C16CWQG-25IH

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

Etron Technology, Inc.
- Производитель: Etron Technology, Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 84-TFBGA
- Тип корпуса: 84-FBGA (8x12.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS43DR81280B-25DBL

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: 60-TFBGA
- Тип корпуса: 60-TWBGA (8x10.5)
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Объем памяти: 1Gb (128M x 8)
- Технология: SDRAM - DDR2
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 400MHz
- Время доступа: 400ps
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
IS46TR16640C-125JBLA1-TR

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Серия: Automotive, AEC-Q100
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
- Package / Case: 96-TFBGA
- Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
- Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Технология: SDRAM - DDR3
- Тип памяти: Volatile
- Тактовая частота: 800MHz
- Время доступа: 20ns
- Формат памяти: DRAM
- Время цикла записи - слово, страница: 15ns
- Интерфейс: Parallel
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: