• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 60-TFBGA
• Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
• Объем памяти: 1Gb (256M x 4)
• Технология: SDRAM - DDR2
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 333MHz
• Время доступа: 450ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-TFBGA
• Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 6ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 66-TSOP
• Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
• Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 750ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 200-WFBGA
• Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
• Напряжение питания: 1.1V
• Объем памяти: 16Gb (512M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 2133MHz
• Формат памяти: DRAM

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 42-SOJ
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Объем памяти: 16Mb (1M x 16)
• Технология: DRAM - FP
• Тип памяти: Volatile
• Время доступа: 25ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-TFBGA
• Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 2ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 96-TFBGA
• Тип корпуса: 96-TWBGA (9x13)
• Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
• Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR3L
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 800MHz
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-LFBGA
• Тип корпуса: 90-LFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (8M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.5ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
• Package / Case: 96-VFBGA
• Тип корпуса: 96-VFBGA (7.5x13)
• Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
• Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR3
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.067GHz
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-TFBGA
• Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 64Mb (4M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 167MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
• Package / Case: 200-WFBGA
• Тип корпуса: 200-WFBGA (10x14.5)
• Напряжение питания: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 2.133GHz
• Время доступа: 3.5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 18ns
• Интерфейс: LVSTL_11

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-LFBGA
• Тип корпуса: 90-LFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 6ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel