Найдено: 8206
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (10x12.5)
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 133MHz
    • Время доступа: 750ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Etron Technology, Inc.
    • Производитель: Etron Technology, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 933MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 144-TFBGA
    • Тип корпуса: 144-µBGA (18.5x11)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 288Mb (16M x 18)
    • Технология: DRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 300MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 4GB DDR3L 1.35V SDRAM, X8, 933MH
    Winbond Electronics
    • Производитель: Winbond Electronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-VFBGA
    • Тип корпуса: 78-VFBGA (8x10.5)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (512M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 933MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-VFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 800MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 66-TSOP
    • Напряжение питания: 2.3V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 167MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4G PARALLEL 1GHZ 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
    • Объем памяти: 4Gb (256M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1GHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (7.5x13.5)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.26V
    • Объем памяти: 8Gb (512M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR4
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 1.6GHz
    • Время доступа: 19ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 85°C (TC)
    • Package / Case: 60-FBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x12)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
    • Объем памяти: 256Mb (32M x 8)
    • Технология: SDRAM - DDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 600ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 78-TFBGA
    • Тип корпуса: 78-FBGA (7.5x10.6)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 4Gb (1G x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 933MHz
    • Время доступа: 20ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PAR 168WFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
    • Package / Case: 168-WFBGA
    • Тип корпуса: 168-WFBGA (12x12)
    • Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 400MHz
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
    • Package / Case: 60-TFBGA
    • Тип корпуса: 60-FBGA (8x10)
    • Напряжение питания: 2.5V ~ 2.7V
    • Объем памяти: 512Mb (128M x 4)
    • Технология: SDRAM - DDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 700ps
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q100
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 60-VFBGA
    • Тип корпуса: 60-VFBGA (8x9)
    • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
    • Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
    • Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 200MHz
    • Время доступа: 5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 15ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
    Micron Technology Inc.
    • Производитель: Micron Technology Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
    • Package / Case: 96-TFBGA
    • Тип корпуса: 96-FBGA (8x14)
    • Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
    • Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
    • Технология: SDRAM - DDR3L
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 800MHz
    • Время доступа: 13.75ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
    Alliance Memory, Inc.
    • Производитель: Alliance Memory, Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
    • Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
    • Тип корпуса: 86-TSOP II
    • Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
    • Объем памяти: 64Mb (2M x 32)
    • Технология: SDRAM
    • Тип памяти: Volatile
    • Тактовая частота: 166MHz
    • Время доступа: 5.5ns
    • Формат памяти: DRAM
    • Время цикла записи - слово, страница: 2ns
    • Интерфейс: Parallel
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: