• Производитель: Alliance Memory, Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 96-VFBGA
• Тип корпуса: 96-FBGA (8x13)
• Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
• Объем памяти: 512Mb (32M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR3
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 800MHz
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 60-VFBGA
• Тип корпуса: 60-FBGA (8x12.5)
• Напряжение питания: 2.5V ~ 2.7V
• Объем памяти: 512Mb (64M x 8)
• Технология: SDRAM - DDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 200MHz
• Время доступа: 700ps
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-VFBGA
• Тип корпуса: 90-VFBGA (9x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 2Gb (64M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 105°C (TC)
• Package / Case: 96-VFBGA
• Тип корпуса: 96-VFBGA (7.5x13)
• Напряжение питания: 1.425V ~ 1.575V
• Объем памяти: 2Gb (128M x 16)
• Технология: SDRAM - DDR3
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 800MHz
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 95°C (TC)
• Package / Case: 78-TFBGA
• Тип корпуса: 78-FBGA (8x10.5)
• Напряжение питания: 1.283V ~ 1.45V
• Объем памяти: 1Gb (256M x 4)
• Технология: SDRAM - DDR3
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 933MHz
• Время доступа: 20ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
• Package / Case: 134-VFBGA
• Тип корпуса: 134-VFBGA (10x11.5)
• Напряжение питания: 1.14V ~ 1.95V
• Объем памяти: 512Mb (16M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 533MHz
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Insignis Technology Corporation
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 12ns
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Серия: Automotive, AEC-Q100
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
• Package / Case: 168-VFBGA
• Тип корпуса: 168-VFBGA (12x12)
• Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 4Gb (128M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 400MHz
• Время доступа: 5.5ns
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: HSUL_12

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-LFBGA
• Тип корпуса: 54-LFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 256Mb (16M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 90-TFBGA
• Тип корпуса: 90-TFBGA (8x13)
• Напряжение питания: 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 128Mb (4M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 133MHz
• Время доступа: 6ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TC)
• Напряжение питания: 1.1V
• Объем памяти: 32Gb (1G x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR4
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 1.866GHz
• Формат памяти: DRAM

• Производитель: Micron Technology Inc.
• Рабочая температура: -25°C ~ 85°C (TC)
• Объем памяти: 64Gb (1G x 64)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR5
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 3.2 GHz
• Формат памяти: DRAM

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Package / Case: 54-TFBGA
• Тип корпуса: 54-TFBGA (8x8)
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 143MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Тип корпуса: 54-TSOP II
• Напряжение питания: 3V ~ 3.6V
• Объем памяти: 128Mb (8M x 16)
• Технология: SDRAM
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 166MHz
• Время доступа: 5.4ns
• Формат памяти: DRAM
• Интерфейс: Parallel

• Производитель: Winbond Electronics
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TC)
• Package / Case: 134-VFBGA
• Тип корпуса: 134-VFBGA (10x11.5)
• Напряжение питания: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
• Объем памяти: 1Gb (32M x 32)
• Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
• Тип памяти: Volatile
• Тактовая частота: 400MHz
• Формат памяти: DRAM
• Время цикла записи - слово, страница: 15ns
• Интерфейс: HSUL_12