• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
1N3014RB DIODE ZENER 180V 10W DO213AA Microchip Technology DO-203AA, DO-4, Stud Chassis, Stud Mount ±5% DO-213AA -65°C ~ 175°C 10W 180V 260 Ohms 10µA @ 136.8V 1.5V @ 2A
1N6635 DIODE ZENER 4.3V 5W E AXIAL Microchip Technology E, Axial Through Hole ±5% E, Axial -65°C ~ 175°C 5W 4.3V 500 Ohms 25µA @ 1V 1.5V @ 1A
JANTXV1N3912AR RECTIFIER Microchip Technology DO-203AB, DO-5, Stud 50A Standard Stud Mount DO-5 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.4V @ 50A 300V 150ns -65°C ~ 150°C Military, MIL-PRF-19500/308
1N6081US DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF Microsemi Corporation SQ-MELF, G 2A Standard Surface Mount G-MELF (D-5C) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 150V 1.5V @ 37.7A 150V 30ns -65°C ~ 155°C
1N4762 G DIODE ZENER 82V 1W DO204AL Microsemi Corporation DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±10% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 175°C 1W 82V 200 Ohms 5µA @ 62.2V 1.2V @ 200mA
BZV49-C68,115 DIODE ZENER 68V 1W SOT89 Nexperia USA Inc. TO-243AA Surface Mount ±5% SOT-89 -65°C ~ 150°C 1W 68V 240 Ohms 50nA @ 47.6V 1V @ 50mA
SZ1SMA5941BT3G DIODE ZENER 47V 1.5W SMA onsemi DO-214AC, SMA Surface Mount ±5% SMA -65°C ~ 150°C 1.5W 47V 67 Ohms 500nA @ 35.8V 1.5V @ 200mA Automotive, AEC-Q101
NRVUS360VBT3G DIODE GEN PURP 600V 3A SMB onsemi DO-214AA, SMB 3A Standard Surface Mount SMB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 3µA @ 600V 1.25V @ 3A 600V 75ns -65°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101
SBRD81035CTLT4G DIODE SCHOTTKY 35V 10A DPAK onsemi TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Schottky Surface Mount DPAK Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 35V 470mV @ 5A 35V -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 5A
1SZ45A-AZ DIODE ZENER 6.4V 0.25W Renesas Electronics America Inc
1SMB5947HM4G DIODE ZENER 82V 3W DO214AA Taiwan Semiconductor Corporation DO-214AA, SMB Surface Mount ±5% DO-214AA (SMB) -55°C ~ 150°C (TJ) 3W 82V 160 Ohms 1µA @ 62.2V Automotive, AEC-Q101
HER3004PT C0G DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247AD Taiwan Semiconductor Corporation TO-247-3 Standard Through Hole TO-247AD (TO-3P) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 300V 1V @ 15A 300V 50ns -55°C ~ 150°C 1 Pair Common Cathode 30A
BZD17C27P RVG DIODE ZENER 27V 800MW SUB SMA Taiwan Semiconductor Corporation DO-219AB Surface Mount ±7.03% Sub SMA -55°C ~ 175°C (TJ) 800mW 27V 15 Ohms 1µA @ 20V 1.2V @ 200mA
MBRB15H60CTHE3_A/P DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO263AB Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Schottky Surface Mount TO-263AB Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 60V 730mV @ 7.5A 60V -65°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 7.5A Automotive, AEC-Q101
BZX55A6V2-TAP DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±1% DO-35 (DO-204AH) 175°C 500mW 6.2V 10 Ohms 100nA @ 2V 1.5V @ 200mA Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Tolerance (Допуск) — Отклонение номинала от заданного производителем в силу технических возможностей производста, применяемых материалов и других факторов.
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.