Полупроводники, Диоды Schottky - 2 Independent
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-UQFN
- Тип корпуса: MiniPak 1412
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 1V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 2V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4-1
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: PG-SOT343-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz
- Ток, макс.: 100mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 3V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Skyworks Solutions Inc.
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TA)
- Package / Case: 4-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 4-MIS (1.18x1.43)
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Ток, макс.: 50mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 75mW
- Обратное пиковое напряжение: 2V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: PG-SOT363-PO
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
- Обратное пиковое напряжение: 4V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-UQFN
- Тип корпуса: MiniPak 1412
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Обратное пиковое напряжение: 15V
- Сопротивление @ If, F: 12Ohm @ 5mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT-143-3D
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 130mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 150mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: TSLP-4-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 1.5pF @ 15V, 1MHz
- Рассеиваемая мощность (Макс): 120mW
- Обратное пиковое напряжение: 30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: MACOM Technology Solutions
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Обратное пиковое напряжение: 1.5V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-XFDFN
- Тип корпуса: TSLP-4-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 20mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 40V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: PG-SOT143-4
- Тип диода: Schottky - 2 Independent
- Емкость @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
- Ток, макс.: 110mA
- Рассеиваемая мощность (Макс): 100mW
- Обратное пиковое напряжение: 4V
- Сопротивление @ If, F: 5.5Ohm @ 50mA, 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100