Полупроводники, Диоды SiGe (Silicon Germanium)
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-123W
- Тип корпуса: SOD-123W
- Тип диода: SiGe (Silicon Germanium)
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 840mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 12ns
- Ток утечки: 30 nA @ 120 V
- Емкость @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-123W
- Тип корпуса: SOD-123W
- Тип диода: SiGe (Silicon Germanium)
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 840mV @ 2A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 11ns
- Ток утечки: 30 nA @ 120 V
- Емкость @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-128
- Тип корпуса: SOD-128/CFP5
- Тип диода: SiGe (Silicon Germanium)
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 840mV @ 2A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 11ns
- Ток утечки: 30 nA @ 120 V
- Емкость @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-128
- Тип корпуса: SOD-128/CFP5
- Тип диода: SiGe (Silicon Germanium)
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 840mV @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 11ns
- Ток утечки: 30 nA @ 120 V
- Емкость @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100