Полупроводники, Диоды PIN - 4 Pair Parallel
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-QFN (2x2)
- Тип диода: PIN - 4 Pair Parallel
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 770mOhm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-QFN (2x2)
- Тип диода: PIN - 4 Pair Parallel
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 770mOhm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Broadcom Limited
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 8-QFN (2x2)
- Тип диода: PIN - 4 Pair Parallel
- Емкость @ Vr, F: 1.25pF @ 50V, 1MHz
- Ток, макс.: 1A
- Рассеиваемая мощность (Макс): 2W
- Обратное пиковое напряжение: 100V
- Сопротивление @ If, F: 770mOhm @ 50mA, 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100