- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Тип диода
|
Тип корпуса
|
Рабочая температура
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Рассеиваемая мощность (Макс)
|
Сопротивление @ If, F
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HSMP-386J-BLKG | RF DIODE PIN 100V 2W 8QFN | Broadcom Limited | 8-WFDFN Exposed Pad | 100V | PIN - 4 Pair Parallel | 8-QFN (2x2) | 150°C (TJ) | 1A | 1.25pF @ 50V, 1MHz | 2W | 770mOhm @ 50mA, 100MHz |
| HSMP-386J-TR2G | RF DIODE PIN 100V 2W 8QFN | Broadcom Limited | 8-WFDFN Exposed Pad | 100V | PIN - 4 Pair Parallel | 8-QFN (2x2) | 150°C (TJ) | 1A | 1.25pF @ 50V, 1MHz | 2W | 770mOhm @ 50mA, 100MHz |
| HSMP-386J-TR1G | RF DIODE PIN 100V 2W 8QFN | Broadcom Limited | 8-WFDFN Exposed Pad | 100V | PIN - 4 Pair Parallel | 8-QFN (2x2) | 150°C (TJ) | 1A | 1.25pF @ 50V, 1MHz | 2W | 770mOhm @ 50mA, 100MHz |
- 10
- 15
- 50
- 100