• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 167143
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Обратное пиковое напряжение
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Допуск
Тип корпуса
Конфигурация
Технология
Рабочая температура
Скорость
Мощность - Макс.
Напряжение стабилизации
Имеданс (Макс) (Zzt)
Ток утечки
Ток, макс.
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Рассеиваемая мощность (Макс)
Сопротивление @ If, F
Коэфициент емкости
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Параметры коэфициента емкости
Добротность @ Vr, F
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
CZRER18VB-HF DIODE ZENER 18V 150MW 0503 Comchip Technology 0503 (1308 Metric) Surface Mount ±2% 0503/SOD-723F -55°C ~ 125°C 150mW 18V 42 Ohms 100nA @ 14V 900mV @ 10mA
G3S06502H SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN Global Power Technology Co. Ltd TO-220-2 Full Pack 9A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 123pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 2A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
1N5919CP/TR8 DIODE ZENER 5.6V 1.5W DO204AL Microchip Technology DO-204AL, DO-41, Axial Through Hole ±2% DO-204AL (DO-41) -65°C ~ 150°C 1.5W 5.6V 2 Ohms 5µA @ 3V 1.2V @ 200mA
1N964BUR-1/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology
CD4717 VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology Die Surface Mount ±5% Die -65°C ~ 175°C 500mW 43V 10nA @ 32.6V 1.5V @ 200mA
CDLL5518A/TR VOLTAGE REGULATOR Microchip Technology DO-213AB, MELF Surface Mount ±10% DO-213AB -65°C ~ 175°C 500mW 3.3V 26 Ohms 5µA @ 900mV 1.1V @ 200mA
1N4712 (DO35) DIODE ZENER 28V 500MW DO35 Microsemi Corporation DO-204AH, DO-35, Axial Through Hole ±5% DO-35 -65°C ~ 175°C 500mW 28V 10nA @ 21.2V 1.1V @ 200mA
1N5368CE3/TR13 DIODE ZENER 47V 5W T18 Microsemi Corporation T-18, Axial Through Hole ±2% T-18 -65°C ~ 150°C 5W 47V 25 Ohms 500nA @ 33.8V 1.2V @ 1A
PMEG4010ETR,115 DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W Nexperia USA Inc. SOD-123W 1A Schottky Surface Mount SOD-123W Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 50µA @ 40V 130pF @ 1V, 1MHz 490mV @ 1A 40V 4.4ns 175°C (Max)
1N5362B ZD 28V 5W NTE Electronics, Inc T-18, Axial Through Hole ±5% Axial -65°C ~ 200°C 5W 28V 6 Ohms 500nA @ 21.2V 1.2V @ 1A
NTE552-10 10PACK OF NTE552 NTE Electronics, Inc
FFSPF0865A 650V 8A SIC SBD onsemi TO-220-2 Full Pack 8A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F-2FS No Recovery Time > 500mA (Io) 200µA @ 650V 463pF @ 1V, 100kHz 1.75V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
BZX84B10VLYT116 250MW, 10V, SOT-23, ZENER DIODE Rohm Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Surface Mount ±2% SOT-23 150°C (TJ) 250mW 10V 20 Ohms 200nA @ 7V
RS2GA R3G DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC Taiwan Semiconductor Corporation DO-214AC, SMA 1.5A Standard Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 400V 50pF @ 4V, 1MHz 1.3V @ 1.5A 400V 150ns -55°C ~ 150°C
ES1CHE3/61T DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1A Standard Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 150V 10pF @ 4V, 1MHz 920mV @ 1A 150V 25ns -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.

Классификация диодов

Рисунок 1. Классификация диодов


Справочная информация по основным параметрам:

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) — Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) — Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) — Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) — Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) — Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) — Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) — Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) — Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) — Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) — Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) — Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) — Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) — Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) — Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.