- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDBD2060-G | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK | Comchip Technology | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Schottky | Surface Mount | D2PAK | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 60V | 750mV @ 10A | 60V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 20A (DC) | ||||
PDS5100H-13-36 | DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5 | Diodes Incorporated | PowerDI™ 5 | 5A | Schottky | Surface Mount | PowerDI™ 5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3.5µA @ 100V | 800mV @ 10A | 100V | -65°C ~ 175°C | |||||
DFLS240LQ-7 | DIODE SCHOTTKY 40V 2A POWERDI123 | Diodes Incorporated | POWERDI®123 | 2A | Schottky | Surface Mount | PowerDI™ 123 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50µA @ 20V | 90pF @ 10V, 1MHz | 650mV @ 3A | 40V | -55°C ~ 125°C | Automotive, AEC-Q101 | |||
G3S06502H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 Full Pack | 9A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 123pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 2A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
JANTX1N6660 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO254AA | Microsemi Corporation | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | Schottky | Through Hole | TO-254AA | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 45V | 750mV @ 15A | 45V | 150°C (Max) | 1 Pair Common Cathode | 15A | Military, MIL-PRF-19500/608 | |||
PMEG4010ETR,115 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W | Nexperia USA Inc. | SOD-123W | 1A | Schottky | Surface Mount | SOD-123W | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 50µA @ 40V | 130pF @ 1V, 1MHz | 490mV @ 1A | 40V | 4.4ns | 175°C (Max) | |||
1PS301/ZL115 | RECTIFIER DIODE | Nexperia USA Inc. | |||||||||||||||
NTE552-10 | 10PACK OF NTE552 | NTE Electronics, Inc | |||||||||||||||
FFSPF0865A | 650V 8A SIC SBD | onsemi | TO-220-2 Full Pack | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F-2FS | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 463pF @ 1V, 100kHz | 1.75V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
RS2GA R3G | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | Taiwan Semiconductor Corporation | DO-214AC, SMA | 1.5A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 400V | 50pF @ 4V, 1MHz | 1.3V @ 1.5A | 400V | 150ns | -55°C ~ 150°C | |||
GP08D-E3/54 | DIODE GEN PURP 200V 800MA DO204 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-204AL, DO-41, Axial | 800mA | Standard | Through Hole | DO-204AL (DO-41) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 200V | 1.3V @ 800mA | 200V | 2µs | -65°C ~ 175°C | SUPERECTIFIER® | |||
UH2CHE3_A/I | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AA, SMB | 2A | Standard | Surface Mount | DO-214AA (SMB) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2µA @ 150V | 42pF @ 4V, 1MHz | 1.05V @ 2A | 150V | 25ns | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101 | ||
ES1CHE3/61T | DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AC, SMA | 1A | Standard | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 150V | 10pF @ 4V, 1MHz | 920mV @ 1A | 150V | 25ns | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 | ||
SBLB1030-E3/45 | DIODE SCHOTTKY DUAL TO-263AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | |||||||||||||||
UF4002-E3/54 | DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-204AL, DO-41, Axial | 1A | Standard | Through Hole | DO-204AL (DO-41) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 100V | 17pF @ 4V, 1MHz | 1V @ 1A | 100V | 50ns | -55°C ~ 150°C |
- 10
- 15
- 50
- 100
Выпрямительные полупроводниковые диоды применяются в качестве вентилей, элементов с односторонней проводимостью, в устройствах преобразования переменного тока в постоянный, или в конвертерах, при преобразовании постоянного напряжения в другое по величине постоянное.
В зависимости от конечного устройства, требования к выпрямительным диодам могут отличаться. При выпрямлении перменного тока в трансформаторных схемах от диода требуется выдерживать большие значения обратного напряжения, выше 1000 Вольт, обусловленного высокой индуктивностью источника напряжения. В DC-DC преобразователях на первом месте стоит время обратного восстановления диода, уменьшающего сквозные токи.
Выпрямительные диоды различают по материалу, используемому для образования p-n-перехода (германиевые, кремниевые и другие), а также по допустимому значению прямого тока (диоды малой средней и большой мощности).