- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
- Тип корпуса: DO-204AL (DO-41)
- Прямое напряжение: 1.2V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 3V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Напряжение стабилизации: 5.6V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 2 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
- Тип корпуса: DO-35
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 10nA @ 21.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 123pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Comchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C
- Package / Case: 0503 (1308 Metric)
- Тип корпуса: 0503/SOD-723F
- Прямое напряжение: 900mV @ 10mA
- Ток утечки: 100nA @ 14V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 150mW
- Напряжение стабилизации: 18V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 42 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Ток утечки: 200nA @ 7V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 250mW
- Напряжение стабилизации: 10V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 20 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOD-123W
- Тип корпуса: SOD-123W
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 490mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4.4ns
- Ток утечки: 50µA @ 40V
- Емкость @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 920mV @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 25ns
- Ток утечки: 5µA @ 150V
- Емкость @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C
- Package / Case: T-18, Axial
- Тип корпуса: Axial
- Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
- Ток утечки: 500nA @ 21.2V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 28V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 6 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Прямое напряжение: 1.5V @ 200mA
- Ток утечки: 10nA @ 32.6V
- Допуск: ±5%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 43V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F-2FS
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A (DC)
- Прямое напряжение: 1.75V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C
- Package / Case: T-18, Axial
- Тип корпуса: T-18
- Прямое напряжение: 1.2V @ 1A
- Ток утечки: 500nA @ 33.8V
- Допуск: ±2%
- Мощность - Макс.: 5W
- Напряжение стабилизации: 47V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 25 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 175°C
- Package / Case: DO-213AB, MELF
- Тип корпуса: DO-213AB
- Прямое напряжение: 1.1V @ 200mA
- Ток утечки: 5µA @ 900mV
- Допуск: ±10%
- Мощность - Макс.: 500mW
- Напряжение стабилизации: 3.3V
- Имеданс (Макс) (Zzt): 26 Ohms
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100
Диоды — это двухконтактные полупроводниковые компоненты, которые пропускают ток в одном направлении и блокируют его протекание в противоположном. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n так и n-p. Используются также другие типы переходов: металл-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.
Типы диодов определяются их функциональным назначением, в том числе: регулирование тока, мостовые выпрямители, ВЧ, выпрямительные матрицы, выпрямители, переменная емкость (варикапы, варакторы), стабилитроны (диоды Зенера) и многое другое.
Рисунок 1. Классификация диодов
Справочная информация по основным параметрам:
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If (Прямое напряжение) —
Разность потенциалов прямосмещенного p-n перехода.
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) (Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)) —
Максимальное обратное постоянное напряжение, которое диод способен выдержать до лавинного пробоя
Capacitance Ratio (Коэфициент емкости) —
Отношение максимальной емкости варикапа к его минимальной емкости
Power - Max (Мощность - Макс.) —
Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Q @ Vr, F (Добротность @ Vr, F) —
Отношение реактивного сопротивления варикапа к сопротивлению потерь при заданном напряжении и частоте.
Current - Reverse Leakage @ Vr (Ток утечки) —
Ток, протекающий через прибор в запертом состоянии.
Mounting Type (Вид монтажа) —
Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) —
Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Voltage - Zener (Nom) (Vz) (Напряжение стабилизации) —
Напряжение стабилизации - напряжение обратного пробоя, слабо зависящее от протекающего через прибор тока.
Operating Temperature (Рабочая температура) —
Рабочий диапазон температур компонента.
Capacitance Ratio Condition (Параметры коэфициента емкости) —
Показывают параметры - напряжения - при которых измерен коэфициент емкости.
Capacitance @ Vr, F (Емкость @ Vr, F) —
Емкость, измеренная при заданном напряжении и частоте.
Impedance (Max) (Zzt) (Имеданс (Макс) (Zzt)) —
Эквивалентное последовательное максимальное сопротивление стабилитрона, когда он проводит ток в рабочем режиме.
Diode Type (Тип диода) —
Технологически или конструктивно заложенный тип компонента, определяющий его функциональное назначение.
Current - Average Rectified (Io) (Средний выпрямленный ток (Io)) —
Среднее за период значение выпрямленного тока (с учётом обратного тока)
Resistance @ If, F (Сопротивление @ If, F) —
Эквивалентное сопротивление диода при прямом включении, измеренное при заданном токе на заданной частоте
Speed (Скорость) —
Способность диода переходить из открытого состояния в закрытое. Зависит от емкости.p-n перехода, определяет максимальную частоту работы.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) —
Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Voltage - Peak Reverse (Max) (Обратное пиковое напряжение) —
Максимальное обратное пиковое напряжение, при котором не происходит повреждения прибора.