Полупроводники, Диоды IXYS-RF
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE150
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 10A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE150
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 10A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE150
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 10A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS-RF
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип корпуса: DE275
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 3 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100