- Производитель
- Средний выпрямленный ток (Io)
-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBD3595 | DIE DIODE GENERAL PURPOSE | MICROSS/On Semiconductor | |||||||||||||
| 1N914 | DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE | MICROSS/On Semiconductor | Die | 200mA | Standard | Die | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 25nA @ 20V | 4pF @ 0V, 1MHz | 1V @ 10mA | 100V | 4ns | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101 | |
| FD700 | DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE | MICROSS/On Semiconductor | Die | 50mA | Standard | Surface Mount | Die | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 50nA @ 20V | 1pF @ 0V, 1MHz | 1.1V @ 50mA | 20V | 700ns | 175°C (Max) | |
| 1N4148 | DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE | MICROSS/On Semiconductor | Die | 200mA | Standard | Through Hole | Die | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | 5µA @ 75V | 4pF @ 0V, 1MHz | 1V @ 10mA | 100V | 4ns | -55°C ~ 175°C | |
| MMBD459A | DIE DIODE GENERAL PURPOSE | MICROSS/On Semiconductor |
- 10
- 15
- 50
- 100