• Производитель
  • Средний выпрямленный ток (Io)
Найдено: 5
  • DIE DIODE GENERAL PURPOSE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 25nA @ 20V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 50mA
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 50mA
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 700ns
    • Ток утечки: 50nA @ 20V
    • Емкость @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 100V 200MA DIE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 200mA
    • Прямое напряжение: 1V @ 10mA
    • Скорость: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    • Время обратного восстановления (trr): 4ns
    • Ток утечки: 5µA @ 75V
    • Емкость @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIE DIODE GENERAL PURPOSE
    MICROSS/On Semiconductor
    • Производитель: MICROSS/On Semiconductor
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: