-
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G5S06508AT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 30.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G5S6506Z | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A DFN5* | Global Power Technology-GPT | 8-PowerTDFN | 30.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 8-DFN (4.9x5.75) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 395pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 6A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G4S6508Z | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A DFN5* | Global Power Technology-GPT | 8-PowerTDFN | 30.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 8-DFN (4.9x5.75) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 395pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
| G4S06510AT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 30.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100